栅极的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201810207704.4
申请日
2018-03-14
公开(公告)号
CN108470681B
公开(公告)日
2018-08-31
发明(设计)人
李镇全 何德彦
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21033 H01L21311
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
栅极的制造方法 [P]. 
李镇全 .
中国专利 :CN109037053B ,2018-12-18
[2]
栅极侧墙的制造方法 [P]. 
庄望超 ;
李镇全 .
中国专利 :CN109037054A ,2018-12-18
[3]
栅极的制造方法 [P]. 
顾海芳 ;
张志诚 ;
林宗谟 ;
陈明志 .
中国专利 :CN109637979B ,2019-04-16
[4]
栅极的制造方法 [P]. 
吴永权 ;
钱凯 ;
陆连 .
中国专利 :CN109065446B ,2018-12-21
[5]
CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P]. 
陈瑜 ;
罗啸 ;
袁苑 .
中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15
[6]
栅极的制造方法 [P]. 
李镇全 .
中国专利 :CN108520865A ,2018-09-11
[7]
栅极的制造方法 [P]. 
李昱廷 ;
却玉蓉 ;
刘怡良 ;
龚昌鸿 ;
陈建勋 .
中国专利 :CN108493159A ,2018-09-04
[8]
栅极的制造方法 [P]. 
付嵛 .
中国专利 :CN112701034B ,2024-04-26
[9]
栅极的制造方法 [P]. 
付嵛 .
中国专利 :CN112701034A ,2021-04-23
[10]
栅极的制造方法 [P]. 
陈小强 ;
李镇全 .
中国专利 :CN109950207A ,2019-06-28