栅极的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810768542.1

申请日：

2018-07-13

公开(公告)号：

CN109037053B

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

李镇全

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20180713
2021-02-02	授权	授权
2018-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极的制造方法 [P].

吴永权 ;

钱凯 ;

陆连 .

中国专利 :CN109065446B ,2018-12-21

[2]

栅极的制造方法 [P].

李镇全 .

中国专利 :CN108520865A ,2018-09-11

[3]

栅极的制造方法 [P].

李昱廷 ;

却玉蓉 ;

刘怡良 ;

龚昌鸿 ;

陈建勋 .

中国专利 :CN108493159A ,2018-09-04

[4]

栅极的制造方法 [P].

陈小强 ;

李镇全 .

中国专利 :CN109950207A ,2019-06-28

[5]

栅极的制造方法 [P].

顾海芳 ;

张志诚 ;

林宗谟 ;

陈明志 .

中国专利 :CN109637979B ,2019-04-16

[6]

栅极的制造方法 [P].

李镇全 ;

何德彦 .

中国专利 :CN108470681B ,2018-08-31

[7]

金属栅极的制造方法 [P].

李镇全 ;

叶荣鸿 .

中国专利 :CN108766878A ,2018-11-06

[8]

CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

袁苑 .

中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15

[9]

栅极侧墙的制造方法 [P].

庄望超 ;

李镇全 .

中国专利 :CN109037054A ,2018-12-18

[10]

SONOS存储器的ONO栅极结构的制造方法 [P].

李元元 ;

邵国键 .

中国专利 :CN108400091B ,2018-08-14

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