栅极侧墙的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810768718.3

申请日：

2018-07-13

公开(公告)号：

CN109037054A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

庄望超李镇全

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20180713
2018-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极侧墙的制造方法 [P].

杜珊珊 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101197275A ,2008-06-11

[2]

栅极的制造方法 [P].

李镇全 .

中国专利 :CN109037053B ,2018-12-18

[3]

栅极的制造方法 [P].

李镇全 ;

何德彦 .

中国专利 :CN108470681B ,2018-08-31

[4]

侧墙的制造方法 [P].

任佳 ;

许鹏凯 ;

吴森 .

中国专利 :CN110277313A ,2019-09-24

[5]

栅极侧墙及其形成方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN108389897B ,2018-08-10

[6]

栅极的制造方法 [P].

顾海芳 ;

张志诚 ;

林宗谟 ;

陈明志 .

中国专利 :CN109637979B ,2019-04-16

[7]

栅极的制造方法 [P].

吴永权 ;

钱凯 ;

陆连 .

中国专利 :CN109065446B ,2018-12-21

[8]

栅极侧墙的工艺方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN107978555A ,2018-05-01

[9]

CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

袁苑 .

中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15

[10]

侧墙结构的制造方法、侧墙结构及半导体器件 [P].

曹欣雨 ;

曹坚 ;

张亮 .

中国专利 :CN110504163A ,2019-11-26

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