侧墙的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910476405.5

申请日：

2019-06-03

公开(公告)号：

CN110277313A

公开(公告)日：

2019-09-24

发明(设计)人：

任佳许鹏凯吴森

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21311 H01L213115

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190603
2021-04-13	授权	授权
2019-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极侧墙的制造方法 [P].

庄望超 ;

李镇全 .

中国专利 :CN109037054A ,2018-12-18

[2]

侧墙结构的制造方法、侧墙结构及半导体器件 [P].

曹欣雨 ;

曹坚 ;

张亮 .

中国专利 :CN110504163A ,2019-11-26

[3]

监测侧墙尺寸波动的方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN112185835B ,2021-01-05

[4]

存储单元侧墙的制造方法 [P].

佟宇鑫 ;

顾林 ;

王辉 ;

段松汉 .

中国专利 :CN120015622A ,2025-05-16

[5]

栅极侧墙的工艺方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN107978555A ,2018-05-01

[6]

ONO侧墙的工艺方法 [P].

任小兵 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112435925B ,2021-03-02

[7]

侧墙的形成方法 [P].

崇二敏 ;

朱轶铮 .

中国专利 :CN104900514B ,2015-09-09

[8]

半导体器件的侧墙形成方法 [P].

韦庆松 ;

于书坤 .

中国专利 :CN103515321B ,2014-01-15

[9]

栅极侧墙及其形成方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN108389897B ,2018-08-10

[10]

制造半导体器件栅极侧墙的方法 [P].

黄敬勇 ;

沈满华 .

中国专利 :CN102299062B ,2011-12-28

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