PIP电容的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910781804.2
申请日
2019-08-23
公开(公告)号
CN110459536B
公开(公告)日
2019-11-15
发明(设计)人
王卉
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2364
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
曹廷廷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
PIP电容的制作方法 [P]. 
许滨滨 ;
叶甜春 ;
朱纪军 ;
李彬鸿 ;
罗军 ;
赵杰 ;
许静 ;
嵇彤 ;
黎婉雯 .
中国专利 :CN114361137A ,2022-04-15
[2]
PIP电容的制作方法 [P]. 
许滨滨 ;
叶甜春 ;
朱纪军 ;
李彬鸿 ;
罗军 ;
赵杰 ;
许静 ;
嵇彤 ;
黎婉雯 .
中国专利 :CN114361137B ,2024-08-27
[3]
PIP电容制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054160A ,2018-05-18
[4]
PIP电容的制作方法 [P]. 
汤志林 ;
王卉 ;
付永琴 ;
曹子贵 .
中国专利 :CN113192927A ,2021-07-30
[5]
嵌入PIP电容的CMOS制作方法 [P]. 
马万里 ;
闻正锋 ;
赵文魁 .
中国专利 :CN106257646A ,2016-12-28
[6]
嵌入PIP电容的CMOS的制作方法 [P]. 
马万里 ;
闻正锋 ;
赵文魁 .
中国专利 :CN106257647A ,2016-12-28
[7]
闪存器件的制作方法 [P]. 
张家瑞 ;
徐杰 ;
吴志涛 ;
李小康 .
中国专利 :CN112635477A ,2021-04-09
[8]
PIP、PPS电容器的制作方法 [P]. 
胡勇 ;
李冰寒 ;
江红 ;
于涛 .
中国专利 :CN102751176A ,2012-10-24
[9]
PIP电容结构及其制作方法、半导体器件 [P]. 
耿武千 .
中国专利 :CN114335187A ,2022-04-12
[10]
PIP电容结构及其制作方法、半导体器件 [P]. 
耿武千 .
中国专利 :CN114335187B ,2024-10-11