PIP电容的制作方法

被引：0

申请号：

CN202111644686.4

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN114361137A

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

许滨滨叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰许静嵇彤黎婉雯

申请人：

申请人地址：

510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王娇娇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20211229
2022-09-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/64 登记生效日:20220908 变更事项:申请人变更前权利人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院变更后权利人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院变更事项:地址变更前权利人:510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋变更后权利人:510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋变更事项:申请人变更前权利人:澳芯集成电路技术（广东）有限公司变更后权利人:锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
2022-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

PIP电容的制作方法 [P].

许滨滨 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

嵇彤 ;

黎婉雯 .

中国专利 :CN114361137B ,2024-08-27

[2]

PIP电容的制作方法 [P].

王卉 .

中国专利 :CN110459536B ,2019-11-15

[3]

PIP电容制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054160A ,2018-05-18

[4]

PIP电容的制作方法 [P].

汤志林 ;

王卉 ;

付永琴 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN113192927A ,2021-07-30

[5]

嵌入PIP电容的CMOS制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106257646A ,2016-12-28

[6]

嵌入PIP电容的CMOS的制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106257647A ,2016-12-28

[7]

PIP、PPS电容器的制作方法 [P].

胡勇 ;

李冰寒 ;

江红 ;

于涛 .

中国专利 :CN102751176A ,2012-10-24

[8]

PIP电容器的制作方法、PIP电容器及EEPROM存储单元 [P].

万宇 .

中国专利 :CN106298445A ,2017-01-04

[9]

电容器及其制作方法 [P].

黄河 ;

毛剑宏 .

中国专利 :CN101587832A ,2009-11-25

[10]

一种PIP电容及其制作方法 [P].

汤志林 ;

王卉 ;

付永琴 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN113270547A ,2021-08-17

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