一种PIP电容及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110547519.1

申请日：

2021-05-19

公开(公告)号：

CN113270547A

公开(公告)日：

2021-08-17

发明(设计)人：

汤志林王卉付永琴曹子贵

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	公开	公开
2021-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20210519

共 50 条

[1]

PIP电容的制作方法 [P].

汤志林 ;

王卉 ;

付永琴 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN113192927A ,2021-07-30

[2]

PIP电容制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054160A ,2018-05-18

[3]

PIP电容的制作方法 [P].

王卉 .

中国专利 :CN110459536B ,2019-11-15

[4]

PIP电容的制作方法 [P].

许滨滨 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

嵇彤 ;

黎婉雯 .

中国专利 :CN114361137A ,2022-04-15

[5]

PIP电容的制作方法 [P].

许滨滨 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

嵇彤 ;

黎婉雯 .

中国专利 :CN114361137B ,2024-08-27

[6]

PIP、PPS电容器的制作方法 [P].

胡勇 ;

李冰寒 ;

江红 ;

于涛 .

中国专利 :CN102751176A ,2012-10-24

[7]

嵌入PIP电容的CMOS制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106257646A ,2016-12-28

[8]

MOS电容及其制作方法 [P].

潘宏菽 ;

马杰 .

中国专利 :CN103904137A ,2014-07-02

[9]

嵌入PIP电容的CMOS的制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106257647A ,2016-12-28

[10]

MIM电容结构及其制作方法 [P].

方俊峰 ;

徐亮 ;

曹涯路 .

中国专利 :CN105575952A ,2016-05-11

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