一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710035968.1

申请日：

2017-01-17

公开(公告)号：

CN106653952B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

吕春雨边捷

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310232 H01L310236 H01L21306 H01L21308

代理机构：

南京知识律师事务所 32207

代理人：

李媛媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724589598 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2017100359681 申请日:20170117
2018-05-08	授权	授权

共 50 条

[1]

红外宽带减反射微结构及其制备方法 [P].

崔云 ;

费亮 ;

赵元安 ;

朱美萍 ;

晋元霞 ;

易葵 ;

邵建达 .

中国专利 :CN108710164A ,2018-10-26

[2]

一种表面微结构的制备方法及制备的微结构 [P].

曾秀芳 .

中国专利 :CN107065435A ,2017-08-18

[3]

一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 [P].

李美成 ;

任霄峰 ;

白帆 ;

宋丹丹 ;

姜冰 .

中国专利 :CN102330142B ,2012-01-25

[4]

一种有序单晶硅金字塔微结构的制备方法 [P].

陈学贤 ;

伊翔 ;

邹丽丽 ;

谭凯月 .

中国专利 :CN114852954A ,2022-08-05

[5]

一种有序单晶硅金字塔微结构的制备方法 [P].

陈学贤 ;

伊翔 ;

邹丽丽 ;

谭凯月 .

中国专利 :CN114852954B ,2024-04-02

[6]

一种蒸发冷却微结构的制备方法 [P].

徐辉 .

中国专利 :CN113060701A ,2021-07-02

[7]

一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法 [P].

孙旺宁 ;

李俊杰 ;

夏晓翔 ;

田士兵 ;

顾长志 .

中国专利 :CN102351569A ,2012-02-15

[8]

一种制备硅纳米结构的方法 [P].

张仁平 ;

张杨 ;

杨富华 .

中国专利 :CN101759140B ,2010-06-30

[9]

一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李美成 ;

黄睿 ;

白帆 ;

谷田生 ;

姜冰 ;

宋丹丹 ;

李英峰 .

中国专利 :CN103030100B ,2013-04-10

[10]

一种微结构周期可控的大面积黑硅的制造方法 [P].

王作斌 ;

张子昂 ;

王大鹏 ;

于淼 ;

宋正勋 ;

翁占坤 ;

胡贞 ;

许红梅 .

中国专利 :CN103848392A ,2014-06-11

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