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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010492485.6
申请日：
2020-06-03
公开(公告)号：
CN113764276A
公开(公告)日：
2021-12-07
发明(设计)人：
韩秋华
王艳良
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L218234
H01L2906
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200603 |
| 2021-12-07 | 公开 | 公开 |