极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911408963.4

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111128689A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

李成果曾巧玉陈志涛

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

武成国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191231
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法 [P].

吴祥 ;

李卫民 .

中国专利 :CN114249477A ,2022-03-29

[2]

金属氮化物薄膜沉积方法 [P].

马迎功 ;

郭冰亮 ;

武树波 ;

师帅涛 ;

赵晨光 ;

杨健 ;

宋玲彦 ;

甄梓扬 ;

翟洪涛 ;

许文学 ;

张璐 ;

崔亚欣 ;

段俊雄 ;

孙鲁阳 .

中国专利 :CN112760602B ,2021-05-07

[3]

氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

屈艺谱 ;

徐俞 ;

王钰宁 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114277443A ,2022-04-05

[4]

制造金属氮化物薄膜的方法 [P].

陈敏璋 ;

江宇森 ;

黄冠晟 ;

鍾冯钧 .

中国专利 :CN120443139A ,2025-08-08

[5]

生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜 [P].

K·S·A·布彻 ;

M－P·F·温特伯特埃普富凯 ;

P·P－T·陈 ;

J·L·P·坦恩哈韦 ;

D·I·约翰逊 .

中国专利 :CN101124353A ,2008-02-13

[6]

氮化物材料的制备方法及氮化物材料 [P].

梁智文 ;

王琦 ;

袁冶 ;

王新强 ;

汪青 ;

张国义 .

中国专利 :CN111816550A ,2020-10-23

[7]

提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜 [P].

张宁 ;

冯梁森 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109638118A ,2019-04-16

[8]

氮化物半导体薄膜及制备方法 [P].

刁克明 .

中国专利 :CN106222623A ,2016-12-14

[9]

一种氮化物薄膜的制备方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 ;

杨乾坤 ;

李亮 .

中国专利 :CN106544643B ,2017-03-29

[10]

悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

于庆龙 ;

高绪敏 ;

施政 ;

曲颖 ;

贺树敏 ;

李欣 ;

王镇海 .

中国专利 :CN103633203A ,2014-03-12

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