氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用

被引：0

申请号：

CN202111625327.4

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114277443A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

屈艺谱徐俞王钰宁王建峰徐科

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518 H01L2102

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	授权	授权
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20211228
2022-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化铝单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏冠华 ;

曹彦伟 ;

张如意 .

中国专利 :CN117448966A ,2024-01-26

[2]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

[3]

基于电场调控的单晶氮化物薄膜的外延生长方法及应用 [P].

王亮 ;

徐俞 ;

王钰宁 ;

徐科 .

中国专利 :CN118087038A ,2024-05-28

[4]

基于电场调控的单晶氮化物薄膜的外延生长方法及应用 [P].

王亮 ;

徐俞 ;

王钰宁 ;

徐科 .

中国专利 :CN118087038B ,2024-08-02

[5]

一种高强韧氮化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

赵长春 ;

王方方 ;

温繁 .

中国专利 :CN118756097A ,2024-10-11

[6]

一种高强韧氮化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

赵长春 ;

王方方 ;

温繁 .

中国专利 :CN118756097B ,2024-12-03

[7]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[8]

液态金属氮化物薄膜的制备方法及其产品和应用 [P].

陈雪庆 ;

崔云涛 ;

刘静 .

中国专利 :CN118957515A ,2024-11-15

[9]

碳氮化物粉末及其制备方法和应用 [P].

G·吉勒 ;

B·格里斯 ;

M·冯鲁藤多尔夫-普尔泽沃斯基 ;

L·M·贝格尔 ;

V·里希特 .

中国专利 :CN1246102A ,2000-03-01

[10]

一种TiAlNbTaV高熵合金氮化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

王方方 ;

赵长春 ;

张虎 ;

高明 .

中国专利 :CN118048608A ,2024-05-17

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