制造金属氮化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410171856.9

申请日：

2024-02-07

公开(公告)号：

CN120443139A

公开(公告)日：

2025-08-08

发明(设计)人：

陈敏璋江宇森黄冠晟鍾冯钧

申请人：

陈敏璋

申请人地址：

中国台湾台北市中正区水源路43号3楼

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/34 C23C16/50

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘丹;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	公开	公开
2025-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20240207

共 50 条

[1]

金属氮化物薄膜沉积方法 [P].

马迎功 ;

郭冰亮 ;

武树波 ;

师帅涛 ;

赵晨光 ;

杨健 ;

宋玲彦 ;

甄梓扬 ;

翟洪涛 ;

许文学 ;

张璐 ;

崔亚欣 ;

段俊雄 ;

孙鲁阳 .

中国专利 :CN112760602B ,2021-05-07

[2]

金属氮化物薄膜的形成方法 [P].

尹必根 ;

金泰学 ;

柳然康 .

韩国专利 :CN119866390A ,2025-04-22

[3]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[4]

生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜 [P].

K·S·A·布彻 ;

M－P·F·温特伯特埃普富凯 ;

P·P－T·陈 ;

J·L·P·坦恩哈韦 ;

D·I·约翰逊 .

中国专利 :CN101124353A ,2008-02-13

[5]

金属－氮化物薄膜的无胺沉积 [P].

V·杜宾 ;

K·奥布里恩 ;

A·拉瓦 ;

J·多明格斯 ;

S·约翰斯顿 ;

J·佩克 ;

D·汤普逊 ;

D·彼得斯 .

中国专利 :CN101278387A ,2008-10-01

[6]

金属氮化物薄膜的形成方法 [P].

李根守 ;

朴吉在 ;

洪钟台 ;

辛喆熙 .

中国专利 :CN114341396A ,2022-04-12

[7]

金属氮化物的制造方法 [P].

若松智 ;

秋元光司 .

中国专利 :CN114728787A ,2022-07-08

[8]

金属氮化物的制造方法 [P].

常世田和彦 ;

铃木将治 ;

初森智纪 .

中国专利 :CN102971256B ,2013-03-13

[9]

金属氮化物的制造方法 [P].

若松智 ;

秋元光司 .

中国专利 :CN114728788A ,2022-07-08

[10]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

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