金属氮化物薄膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380046384.8

申请日：

2023-11-02

公开(公告)号：

CN119866390A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

尹必根金泰学柳然康

申请人：

圆益IPS股份有限公司

申请人地址：

韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75

IPC主分类号：

C23C16/34

IPC分类号：

C23C16/56 H01J37/32

代理机构：

北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384

代理人：

郑青松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/34申请日:20231102
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氮化物薄膜的形成方法 [P].

李根守 ;

朴吉在 ;

洪钟台 ;

辛喆熙 .

中国专利 :CN114341396A ,2022-04-12

[2]

制造金属氮化物薄膜的方法 [P].

陈敏璋 ;

江宇森 ;

黄冠晟 ;

鍾冯钧 .

中国专利 :CN120443139A ,2025-08-08

[3]

金属氮化物薄膜沉积方法 [P].

马迎功 ;

郭冰亮 ;

武树波 ;

师帅涛 ;

赵晨光 ;

杨健 ;

宋玲彦 ;

甄梓扬 ;

翟洪涛 ;

许文学 ;

张璐 ;

崔亚欣 ;

段俊雄 ;

孙鲁阳 .

中国专利 :CN112760602B ,2021-05-07

[4]

氮化物薄膜结构及其形成方法 [P].

尹义埈 ;

车国宪 ;

金钟学 ;

吴世源 ;

禹熙济 .

中国专利 :CN102150286B ,2011-08-10

[5]

生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜 [P].

K·S·A·布彻 ;

M－P·F·温特伯特埃普富凯 ;

P·P－T·陈 ;

J·L·P·坦恩哈韦 ;

D·I·约翰逊 .

中国专利 :CN101124353A ,2008-02-13

[6]

形成金属氮化物膜的方法 [P].

约瑟夫·奥布赫恩 .

美国专利 :CN118103548A ,2024-05-28

[7]

金属－氮化物薄膜的无胺沉积 [P].

V·杜宾 ;

K·奥布里恩 ;

A·拉瓦 ;

J·多明格斯 ;

S·约翰斯顿 ;

J·佩克 ;

D·汤普逊 ;

D·彼得斯 .

中国专利 :CN101278387A ,2008-10-01

[8]

形成钛氮化物薄膜的方法以及形成电极的方法 [P].

全政秀 ;

高丽娜 ;

李多恩 ;

郑晓燮 ;

刘真赫 ;

吴泰宪 ;

黄喆周 .

韩国专利 :CN121127948A ,2025-12-12

[9]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

[10]

氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法 [P].

吴祥 ;

李卫民 .

中国专利 :CN114249477A ,2022-03-29

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