氮化物薄膜结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980135167.6

申请日：

2009-09-07

公开(公告)号：

CN102150286B

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

尹义埈车国宪金钟学吴世源禹熙济

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区光敎路145C-9楼.AICT

IPC主分类号：

H01L3316

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019

代理人：

寿宁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-23	授权	授权
2015-08-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719589419 IPC(主分类):H01L 33/16 专利申请号:2009801351676 变更事项:申请人变更前权利人:财团法人首尔大学校产学协力团变更后权利人:首尔大学校技术控股公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔特别市变更后权利人:韩国首尔市冠岳区冠岳路1 登记生效日:20150730
2011-08-10	公开	公开
2011-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110110936 IPC(主分类):H01L 33/16 专利申请号:2009801351676 申请日:20090907
2015-08-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719589420 IPC(主分类):H01L 33/16 专利申请号:2009801351676 变更事项:申请人变更前权利人:首尔大学校技术控股公司变更后权利人:海瑟解决方案股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔市冠岳区冠岳路1 变更后权利人:韩国京畿道水原市灵通区光敎路145C-9楼AICT 登记生效日:20150730

共 50 条

[1]

半导体薄膜结构以及其形成方法 [P].

尹义埈 ;

河信雨 .

中国专利 :CN103608897B ,2014-02-26

[2]

金属氮化物薄膜的形成方法 [P].

李根守 ;

朴吉在 ;

洪钟台 ;

辛喆熙 .

中国专利 :CN114341396A ,2022-04-12

[3]

金属氮化物薄膜的形成方法 [P].

尹必根 ;

金泰学 ;

柳然康 .

韩国专利 :CN119866390A ,2025-04-22

[4]

在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111341648B ,2020-06-26

[5]

一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法 [P].

伊晓燕 ;

王蕴玉 ;

刘志强 ;

梁萌 ;

王兵 ;

任芳 ;

尹越 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN111697115A ,2020-09-22

[6]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

[7]

悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

于庆龙 ;

高绪敏 ;

施政 ;

曲颖 ;

贺树敏 ;

李欣 ;

王镇海 .

中国专利 :CN103633203A ,2014-03-12

[8]

氮化物底层及其制作方法 [P].

林文禹 ;

陈圣昌 ;

钟志白 ;

徐宸科 .

中国专利 :CN105428481A ,2016-03-23

[9]

氮化物系薄膜复合结构体及其制造方法 [P].

平崎贵英 ;

末次大辅 ;

大熊崇文 .

中国专利 :CN111051582B ,2020-04-21

[10]

形成钛氮化物薄膜的方法以及形成电极的方法 [P].

全政秀 ;

高丽娜 ;

李多恩 ;

郑晓燮 ;

刘真赫 ;

吴泰宪 ;

黄喆周 .

韩国专利 :CN121127948A ,2025-12-12

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