氮化物系薄膜复合结构体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880052361.7

申请日：

2018-11-21

公开(公告)号：

CN111051582B

公开(公告)日：

2020-04-21

发明(设计)人：

平崎贵英末次大辅大熊崇文

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1434 H01L21203 H01L21205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-21	公开	公开
2022-10-04	授权	授权
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20181121

共 50 条

[1]

制造金属氮化物薄膜的方法 [P].

陈敏璋 ;

江宇森 ;

黄冠晟 ;

鍾冯钧 .

中国专利 :CN120443139A ,2025-08-08

[2]

氮化物系发光元件及其制造方法 [P].

国里龙也 ;

广山良治 ;

畑雅幸 ;

太田洁 .

中国专利 :CN101582481A ,2009-11-18

[3]

氮化物系发光元件及其制造方法 [P].

国里龙也 ;

广山良治 ;

畑雅幸 ;

太田洁 .

中国专利 :CN100524852C ,2005-08-10

[4]

氮化物烧结体及其制造方法 [P].

山本泰幸 ;

金近幸博 ;

前田昌克 .

中国专利 :CN1972883A ,2007-05-30

[5]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

[6]

氮化物薄膜结构及其形成方法 [P].

尹义埈 ;

车国宪 ;

金钟学 ;

吴世源 ;

禹熙济 .

中国专利 :CN102150286B ,2011-08-10

[7]

具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法 [P].

吉川明彦 ;

徐科 .

中国专利 :CN1282257C ,2004-05-19

[8]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102687292A ,2012-09-19

[9]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

安杖尚美 ;

井上彰 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN103283043A ,2013-09-04

[10]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

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