氮化物系半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280002602.X

申请日：

2012-04-02

公开(公告)号：

CN103283043A

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

横川俊哉安杖尚美井上彰加藤亮

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L2120 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	公开	公开
2015-02-11	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101710693158 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:201280002602X 申请公布日:20130904
2014-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581158295 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:201280002602X 申请日:20120402

共 50 条

[1]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102511085A ,2012-06-20

[2]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

户田忠夫 ;

山口勤 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1271766C ,2003-10-08

[3]

氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1677775A ,2005-10-05

[4]

氮化物系半导体元件的制造方法和氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN101459318B ,2009-06-17

[5]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102687292A ,2012-09-19

[6]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

[7]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007576B ,2012-11-07

[8]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

加藤亮 ;

安杖尚美 .

中国专利 :CN102754226B ,2012-10-24

[9]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102696122A ,2012-09-26

[10]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

成川幸男 ;

三谷友次 ;

市川将嗣 ;

北野彰 ;

三崎贵生 .

中国专利 :CN101189733A ,2008-05-28

← 1 2 3 4 5 →