氮化物系半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280002602.X

申请日：

2012-04-02

公开(公告)号：

CN103283043A

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

横川俊哉安杖尚美井上彰加藤亮

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L2120 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	公开	公开
2015-02-11	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101710693158 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:201280002602X 申请公布日:20130904
2014-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581158295 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:201280002602X 申请日:20120402

共 50 条

[41]

氮化物半导体元件制造方法 [P].

李贤宰 ;

崔在完 .

中国专利 :CN1979763A ,2007-06-13

[42]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981989A ,2025-11-18

[43]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981988A ,2025-11-18

[44]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河羲典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN101188266B ,2008-05-28

[45]

氮化物半导体元件 [P].

斋藤渉 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1921147A ,2007-02-28

[46]

氮化物半导体元件 [P].

山口敦司 ;

伊藤范和 ;

高堂真也 .

中国专利 :CN102237403A ,2011-11-09

[47]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1941436A ,2007-04-04

[48]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933201A ,2007-03-21

[49]

氮化物半导体元件 [P].

杉本康宜 ;

米田章法 .

中国专利 :CN2717023Y ,2005-08-10

[50]

氮化物半导体元件 [P].

吉冈启 ;

斋藤涉 ;

齐藤泰伸 ;

藤本英俊 ;

大野哲也 .

中国专利 :CN102237402B ,2011-11-09

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