氮化物半导体元件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510122765.3

申请日：

2005-11-30

公开(公告)号：

CN1979763A

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

李贤宰崔在完

申请人：

申请人地址：

210046江苏省南京市南京经济技术开发区恒通大道77号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

北京金信立方知识产权代理有限公司

代理人：

黄威;张金海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-06-13	公开	公开
2008-12-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

船越良太 .

日本专利 :CN116097457B ,2025-06-13

[2]

氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件 [P].

长滨慎一 ;

佐野雅彦 ;

柳本友弥 ;

坂本惠司 ;

山本正司 ;

森田大介 .

中国专利 :CN1290153C ,2004-02-18

[3]

氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111587492A ,2020-08-25

[4]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

[5]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981989A ,2025-11-18

[6]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981988A ,2025-11-18

[7]

氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

辻村步 ;

大塚信之 .

中国专利 :CN1515036A ,2004-07-21

[8]

氮化物半导体层叠体和氮化物半导体元件的制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN121058136A ,2025-12-02

[9]

氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1677775A ,2005-10-05

[10]

氮化物系半导体元件的制造方法和氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN101459318B ,2009-06-17

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