氮化物半导体元件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420003849.6

申请日：

2004-02-19

公开(公告)号：

CN2717023Y

公开(公告)日：

2005-08-10

发明(设计)人：

杉本康宜米田章法

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101580931485 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2004200038496 申请日:20040219 授权公告日:20050810 期满终止日期:20140219
2005-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件 [P].

杉本康宜 ;

米田章法 .

中国专利 :CN100502060C ,2004-08-25

[2]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河羲典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN101188266B ,2008-05-28

[3]

氮化物半导体元件 [P].

斋藤渉 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1921147A ,2007-02-28

[4]

氮化物半导体元件 [P].

山口敦司 ;

伊藤范和 ;

高堂真也 .

中国专利 :CN102237403A ,2011-11-09

[5]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1941436A ,2007-04-04

[6]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933201A ,2007-03-21

[7]

氮化物半导体元件 [P].

吉冈启 ;

斋藤涉 ;

齐藤泰伸 ;

藤本英俊 ;

大野哲也 .

中国专利 :CN102237402B ,2011-11-09

[8]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933200A ,2007-03-21

[9]

氮化物半导体元件 [P].

斋藤渉 ;

小野村正明 ;

田中明 ;

橘浩一 ;

藏口雅彦 ;

野田隆夫 ;

新田智洋 ;

吉冈启 .

中国专利 :CN1921148A ,2007-02-28

[10]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933199A ,2007-03-21

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