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氮化物系半导体元件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201280002602.X
申请日：
2012-04-02
公开(公告)号：
CN103283043A
公开(公告)日：
2013-09-04
发明(设计)人：
横川俊哉
安杖尚美
井上彰
加藤亮
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L3314
IPC分类号：
H01L2120
H01L2128
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
汪惠民
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-09-04 | 公开 | 公开 |
| 2015-02-11 | 发明专利申请公布后的撤回 | 发明专利申请公布后的撤回 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101710693158 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:201280002602X 申请公布日:20130904 |
| 2014-04-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581158295 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:201280002602X 申请日:20120402 |