氮化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680038980.8

申请日：

2006-10-19

公开(公告)号：

CN101292328A

公开(公告)日：

2008-10-22

发明(设计)人：

尺田幸男园部雅之伊藤范和

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21318

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

刘春成

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101004079007 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2006800389808 公开日:20081022
2008-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115440808A ,2022-12-06

[2]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 ;

岛本敏孝 ;

长谷川义晃 ;

川口靖利 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN100454597C ,2007-05-09

[3]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115394648A ,2022-11-25

[4]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

圶哲次 ;

佐藤纯治 ;

多田善纪 ;

吉田隆 .

中国专利 :CN1846310B ,2006-10-11

[5]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

菅原岳 ;

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

木户口勋 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN100349341C ,2006-04-26

[6]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

下冈知祐 ;

佐野雅彦 ;

东直树 .

中国专利 :CN105280776A ,2016-01-27

[7]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

福岛康之 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102341922A ,2012-02-01

[8]

氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件 [P].

长滨慎一 ;

佐野雅彦 ;

柳本友弥 ;

坂本惠司 ;

山本正司 ;

森田大介 .

中国专利 :CN1290153C ,2004-02-18

[9]

氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111587492A ,2020-08-25

[10]

氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

渡边浩崇 ;

小河淳 ;

冈崎舞 ;

木下多贺雄 .

中国专利 :CN102751412A ,2012-10-24

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