氮化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580013357.2

申请日：

2005-04-20

公开(公告)号：

CN100454597C

公开(公告)日：

2007-05-09

发明(设计)人：

石桥明彦横川俊哉岛本敏孝长谷川义晃川口靖利木户口勋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C23C1634 H01L21205 H01S5323

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101081292035 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005800133572 申请日:20050420 授权公告日:20090121 终止日期:20100420
2007-05-09	公开	公开
2009-01-21	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115440808A ,2022-12-06

[2]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 ;

园部雅之 ;

伊藤范和 .

中国专利 :CN101292328A ,2008-10-22

[3]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115394648A ,2022-11-25

[4]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

圶哲次 ;

佐藤纯治 ;

多田善纪 ;

吉田隆 .

中国专利 :CN1846310B ,2006-10-11

[5]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

菅原岳 ;

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

木户口勋 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN100349341C ,2006-04-26

[6]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

下冈知祐 ;

佐野雅彦 ;

东直树 .

中国专利 :CN105280776A ,2016-01-27

[7]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

福岛康之 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102341922A ,2012-02-01

[8]

氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件 [P].

长滨慎一 ;

佐野雅彦 ;

柳本友弥 ;

坂本惠司 ;

山本正司 ;

森田大介 .

中国专利 :CN1290153C ,2004-02-18

[9]

氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111587492A ,2020-08-25

[10]

氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

渡边浩崇 ;

小河淳 ;

冈崎舞 ;

木下多贺雄 .

中国专利 :CN102751412A ,2012-10-24

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