氮化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510282291.2

申请日：

2015-05-28

公开(公告)号：

CN105280776A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

下冈知祐佐野雅彦东直树

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张玉玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691358440 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2015102822912 申请日:20150528
2016-01-27	公开	公开
2019-01-01	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 [P].

藤仓序章 ;

松田三智子 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103050597A ,2013-04-17

[2]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115440808A ,2022-12-06

[3]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 ;

岛本敏孝 ;

长谷川义晃 ;

川口靖利 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN100454597C ,2007-05-09

[4]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 ;

园部雅之 ;

伊藤范和 .

中国专利 :CN101292328A ,2008-10-22

[5]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115394648A ,2022-11-25

[6]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

圶哲次 ;

佐藤纯治 ;

多田善纪 ;

吉田隆 .

中国专利 :CN1846310B ,2006-10-11

[7]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

菅原岳 ;

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

木户口勋 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN100349341C ,2006-04-26

[8]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

福岛康之 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102341922A ,2012-02-01

[9]

氮化物半导体多层结构体及其制造方法、氮化物半导体发光元件 [P].

高野隆好 ;

椿健治 ;

平山秀树 ;

藤川纱千惠 .

中国专利 :CN102656711B ,2012-09-05

[10]

氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件 [P].

长滨慎一 ;

佐野雅彦 ;

柳本友弥 ;

坂本惠司 ;

山本正司 ;

森田大介 .

中国专利 :CN1290153C ,2004-02-18

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