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氮化物半导体元件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201080010085.1
申请日：
2010-02-17
公开(公告)号：
CN102341922A
公开(公告)日：
2012-02-01
发明(设计)人：
福岛康之
上田哲三
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L3332
IPC分类号：
H01L21205
H01L3322
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
汪惠民
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-02-01 | 公开 | 公开 |
| 2012-11-14 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101462745423 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2010800100851 申请公布日:20120201 |