氮化物系半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580078567.3

申请日：

2015-06-30

公开(公告)号：

CN107873109A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

李承宰崔成哲白宗协全成兰金相默郑泰勋

申请人：

申请人地址：

韩国光州广域市

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王朋飞;张晶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	公开	公开
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20150630
2020-05-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/22 申请公布日:20180403

共 50 条

[1]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

小出典克 ;

幡俊雄 ;

笔田麻佑子 ;

木村大觉 .

中国专利 :CN1226792C ,2003-11-05

[2]

氮化物系半导体发光元件 [P].

三木康宽 ;

大西雅彦 ;

西山浩史 ;

板东周作 .

中国专利 :CN103238223B ,2013-08-07

[3]

氮化物系半导体发光元件 [P].

口野启史 ;

井下京治 ;

井上升 .

中国专利 :CN102623893A ,2012-08-01

[4]

氮化物系半导体发光元件 [P].

畑雅幸 ;

高山彻 ;

吉田真治 ;

川口靖利 .

日本专利 :CN118679654A ,2024-09-20

[5]

氮化物系半导体发光元件 [P].

国里竜也 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN1667847A ,2005-09-14

[6]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上大二朗 ;

野村康彦 ;

畑雅幸 ;

狩野隆司 ;

山口勤 .

中国专利 :CN100517773C ,2004-04-07

[7]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上彰 ;

岩永顺子 ;

加藤亮 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102334204B ,2012-01-25

[8]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

大泽弘 ;

程田高史 .

中国专利 :CN101268560A ,2008-09-17

[9]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102326267A ,2012-01-18

[10]

氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

冈田卓也 .

日本专利 :CN119208471A ,2024-12-27

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