氮化物系半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110421217.6

申请日：

2011-12-15

公开(公告)号：

CN102623893A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

口野启史井下京治井上升

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S502 H01S5028

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

雒运朴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101705197394 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2011104212176 申请公布日:20120801
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物系半导体发光元件 [P].

三木康宽 ;

大西雅彦 ;

西山浩史 ;

板东周作 .

中国专利 :CN103238223B ,2013-08-07

[2]

氮化物系半导体发光元件 [P].

畑雅幸 ;

高山彻 ;

吉田真治 ;

川口靖利 .

日本专利 :CN118679654A ,2024-09-20

[3]

氮化物系半导体发光元件 [P].

国里竜也 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN1667847A ,2005-09-14

[4]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上大二朗 ;

野村康彦 ;

畑雅幸 ;

狩野隆司 ;

山口勤 .

中国专利 :CN100517773C ,2004-04-07

[5]

氮化物系半导体发光元件 [P].

高山彻 ;

吉田真治 ;

川口靖利 ;

冈口贵大 .

日本专利 :CN118805310A ,2024-10-18

[6]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN202695521U ,2013-01-23

[7]

氮化物系半导体发光元件 [P].

小谷靖长 .

中国专利 :CN102792533A ,2012-11-21

[8]

氮化物系半导体发光元件 [P].

高山彻 .

日本专利 :CN117597841A ,2024-02-23

[9]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102881795A ,2013-01-16

[10]

氮化物系半导体发光元件 [P].

吉田真治 ;

高山彻 ;

冈口贵大 ;

井上升 .

日本专利 :CN119999032A ,2025-05-13

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