氮化物系半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180058567.9

申请日：

2011-10-13

公开(公告)号：

CN103238223B

公开(公告)日：

2013-08-07

发明(设计)人：

三木康宽大西雅彦西山浩史板东周作

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

龚敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101516131091 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2011800585679 申请日:20111013
2013-08-07	公开	公开
2017-03-01	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物系半导体发光元件 [P].

口野启史 ;

井下京治 ;

井上升 .

中国专利 :CN102623893A ,2012-08-01

[2]

氮化物系半导体发光元件 [P].

畑雅幸 ;

高山彻 ;

吉田真治 ;

川口靖利 .

日本专利 :CN118679654A ,2024-09-20

[3]

氮化物系半导体发光元件 [P].

国里竜也 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN1667847A ,2005-09-14

[4]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上大二朗 ;

野村康彦 ;

畑雅幸 ;

狩野隆司 ;

山口勤 .

中国专利 :CN100517773C ,2004-04-07

[5]

氮化物系半导体发光元件 [P].

高山彻 ;

吉田真治 ;

川口靖利 ;

冈口贵大 .

日本专利 :CN118805310A ,2024-10-18

[6]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN202695521U ,2013-01-23

[7]

氮化物系半导体发光元件 [P].

小谷靖长 .

中国专利 :CN102792533A ,2012-11-21

[8]

氮化物系半导体发光元件 [P].

高山彻 .

日本专利 :CN117597841A ,2024-02-23

[9]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102881795A ,2013-01-16

[10]

氮化物系半导体发光元件 [P].

吉田真治 ;

高山彻 ;

冈口贵大 ;

井上升 .

日本专利 :CN119999032A ,2025-05-13

← 1 2 3 4 5 →