氮化物系半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180013144.5

申请日：

2011-03-03

公开(公告)号：

CN102792533A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

小谷靖长

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴秋明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	授权	授权
2012-11-21	公开	公开
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101402333722 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2011800131445 申请日:20110303

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

林齐一 .

日本专利 :CN120659437A ,2025-09-16

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

兼平真吾 ;

川田至孝 ;

安倍弘喜 .

日本专利 :CN119730488A ,2025-03-28

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

翁宇峰 ;

M.布罗克利 .

中国专利 :CN102456791B ,2012-05-16

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 ;

高尾一史 .

日本专利 :CN120129369A ,2025-06-10

[5]

氮化物系半导体发光元件 [P].

高山彻 ;

吉田真治 ;

川口靖利 ;

冈口贵大 .

日本专利 :CN118805310A ,2024-10-18

[6]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN202695521U ,2013-01-23

[7]

氮化物系半导体发光元件 [P].

三木康宽 ;

大西雅彦 ;

西山浩史 ;

板东周作 .

中国专利 :CN103238223B ,2013-08-07

[8]

氮化物系半导体发光元件 [P].

口野启史 ;

井下京治 ;

井上升 .

中国专利 :CN102623893A ,2012-08-01

[9]

氮化物系半导体发光元件 [P].

高山彻 .

日本专利 :CN117597841A ,2024-02-23

[10]

氮化物系半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102881795A ,2013-01-16

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