氮化物系半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680034270.8

申请日：

2006-09-20

公开(公告)号：

CN101268560A

公开(公告)日：

2008-09-17

发明(设计)人：

大泽弘程田高史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101523801271 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006800342708 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130125
2010-06-23	授权	授权
2008-09-17	公开	公开
2008-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物系半导体发光元件 [P].

小谷靖长 .

中国专利 :CN102792533A ,2012-11-21

[2]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

[3]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007576B ,2012-11-07

[4]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007610B ,2011-04-06

[5]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN101981713B ,2011-02-23

[6]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102859724A ,2013-01-02

[7]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102067348A ,2011-05-18

[8]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上彰 ;

岩永顺子 ;

加藤亮 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102334204B ,2012-01-25

[9]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102326267A ,2012-01-18

[10]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

李承宰 ;

崔成哲 ;

白宗协 ;

全成兰 ;

金相默 ;

郑泰勋 .

中国专利 :CN107873109A ,2018-04-03

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