氮化物系半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080001925.8

申请日：

2010-04-05

公开(公告)号：

CN102067348A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

井上彰藤金正树横川俊哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L2128 H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/40 申请日:20100405 授权公告日:20130327 终止日期:20200405
2013-03-27	授权	授权
2012-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101217911336 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2010800019258 申请日:20100405
2011-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

[2]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007576B ,2012-11-07

[3]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007610B ,2011-04-06

[4]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN101981713B ,2011-02-23

[5]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102859724A ,2013-01-02

[6]

氮化物系半导体发光元件及其制造方法 [P].

大泽弘 ;

程田高史 .

中国专利 :CN101268560A ,2008-09-17

[7]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102696122A ,2012-09-26

[8]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102511085A ,2012-06-20

[9]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102511086A ,2012-06-20

[10]

氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1677775A ,2005-10-05

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