氮化物系半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080041041.5

申请日：

2010-12-21

公开(公告)号：

CN102511085A

公开(公告)日：

2012-06-20

发明(设计)人：

横川俊哉大屋满明山田笃志加藤亮

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101301314958 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2010800410415 申请日:20101221
2015-03-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101712196210 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2010800410415 申请公布日:20120620
2012-06-20	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

安杖尚美 ;

井上彰 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN103283043A ,2013-09-04

[2]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

[3]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007576B ,2012-11-07

[4]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102696122A ,2012-09-26

[5]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007610B ,2011-04-06

[6]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102511086A ,2012-06-20

[7]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN101981713B ,2011-02-23

[8]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102859724A ,2013-01-02

[9]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

户田忠夫 ;

山口勤 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1271766C ,2003-10-08

[10]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102067348A ,2011-05-18

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