氮化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580011771.X

申请日：

2005-10-13

公开(公告)号：

CN1943084A

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

安杖尚美横川俊哉长谷川义晃

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S502

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-04	公开	公开
2009-01-21	授权	授权
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101636686725 IPC(主分类):H01S 5/02 专利号:ZL200580011771X 申请日:20051013 授权公告日:20090121 终止日期:20141013

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

松田佳昭 .

中国专利 :CN101346857A ,2009-01-14

[2]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115440808A ,2022-12-06

[3]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 ;

岛本敏孝 ;

长谷川义晃 ;

川口靖利 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN100454597C ,2007-05-09

[4]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 ;

园部雅之 ;

伊藤范和 .

中国专利 :CN101292328A ,2008-10-22

[5]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

叶治东 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN115394648A ,2022-11-25

[6]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

圶哲次 ;

佐藤纯治 ;

多田善纪 ;

吉田隆 .

中国专利 :CN1846310B ,2006-10-11

[7]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

菅原岳 ;

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

木户口勋 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN100349341C ,2006-04-26

[8]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭俊植 ;

郑暎都 ;

车昊映 ;

朴奉烈 ;

李在吉 ;

李宽铉 .

中国专利 :CN104037212A ,2014-09-10

[9]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

下冈知祐 ;

佐野雅彦 ;

东直树 .

中国专利 :CN105280776A ,2016-01-27

[10]

氮化物半导体元件及其制造方法 [P].

福岛康之 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102341922A ,2012-02-01

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