氮化物系半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180003875.1

申请日：

2011-02-23

公开(公告)号：

CN102687292A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

横川俊哉大屋满明山田笃志加藤亮

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L2128 H01L3340 H01S5042 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-24	授权	授权
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346530866 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2011800038751 申请日:20110223
2012-09-19	公开	公开
2021-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20110223 授权公告日:20140924 终止日期:20200223

共 50 条

[1]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN101981713B ,2011-02-23

[2]

氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1677775A ,2005-10-05

[3]

氮化物系半导体元件的制造方法和氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN101459318B ,2009-06-17

[4]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

安杖尚美 ;

井上彰 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN103283043A ,2013-09-04

[5]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

[6]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007576B ,2012-11-07

[7]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

加藤亮 ;

安杖尚美 .

中国专利 :CN102754226B ,2012-10-24

[8]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102696122A ,2012-09-26

[9]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102511085A ,2012-06-20

[10]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

成川幸男 ;

三谷友次 ;

市川将嗣 ;

北野彰 ;

三崎贵生 .

中国专利 :CN101189733A ,2008-05-28

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