氮化物系半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680015180.4

申请日：

2006-04-26

公开(公告)号：

CN101189733A

公开(公告)日：

2008-05-28

发明(设计)人：

成川幸男三谷友次市川将嗣北野彰三崎贵生

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-02	授权	授权
2008-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN1677775A ,2005-10-05

[2]

氮化物系半导体元件的制造方法和氮化物系半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

山口勤 ;

伊豆博昭 ;

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN101459318B ,2009-06-17

[3]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102687292A ,2012-09-19

[4]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

安杖尚美 ;

井上彰 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN103283043A ,2013-09-04

[5]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007611A ,2011-04-06

[6]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007576B ,2012-11-07

[7]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

加藤亮 ;

安杖尚美 .

中国专利 :CN102754226B ,2012-10-24

[8]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102696122A ,2012-09-26

[9]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

大屋满明 ;

山田笃志 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102511085A ,2012-06-20

[10]

氮化物系半导体元件及其制造方法 [P].

大屋满明 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 ;

矶崎瑛宏 .

中国专利 :CN102007610B ,2011-04-06

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