具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03157497.1

申请日：

2003-09-22

公开(公告)号：

CN1282257C

公开(公告)日：

2004-05-19

发明(设计)人：

吉川明彦徐科

申请人：

申请人地址：

日本千叶县千叶市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5323 H01L2118

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-05-19	公开	公开
2006-10-25	授权	授权
2008-11-19	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

琵琶刚志 ;

奥山浩之 ;

土居正人 ;

大畑丰治 .

中国专利 :CN1241272C ,2004-02-18

[2]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

小林俊雅 ;

簗嶋克典 ;

山口恭司 ;

中岛博 .

中国专利 :CN1460284A ,2003-12-03

[3]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法 [P].

手钱雄太 .

中国专利 :CN1429402A ,2003-07-09

[4]

氮化物基异质结半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

郑在现 .

中国专利 :CN103247695A ,2013-08-14

[5]

氮化物发光器件及其制造方法 [P].

鲁载哲 ;

曹相德 ;

蔡昇完 .

中国专利 :CN1645633A ,2005-07-27

[6]

氮化物高压器件及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103117294B ,2013-05-22

[7]

氮化物系半导体衬底及其制造方法 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN1960014A ,2007-05-09

[8]

具有双异质结构发光区域的Ⅲ-氮化物发光器件 [P].

Y·-C·沈 ;

N·F·加德纳 ;

S·沃坦内伯 ;

M·R·卡拉梅斯 ;

G·O·米勒 .

中国专利 :CN101297410B ,2008-10-29

[9]

氮化物半导体器件制造方法 [P].

木户口勋 ;

石桥明彦 ;

粂雅博 ;

伴雄三郎 ;

上山智 .

中国专利 :CN1533002A ,2004-09-29

[10]

氮化物半导体器件制造方法 [P].

木户口勋 ;

石桥明彦 ;

粂雅博 ;

伴雄三郎 ;

上山智 .

中国专利 :CN1170347C ,2001-10-03

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