氮化物高压器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310049853.X

申请日：

2013-02-07

公开(公告)号：

CN103117294B

公开(公告)日：

2013-05-22

发明(设计)人：

程凯

申请人：

申请人地址：

215124 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路99号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

常亮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	授权	授权
2013-05-22	公开	公开
2013-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101475930990 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:201310049853X 申请日:20130207

共 50 条

[1]

硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN102916046B ,2013-02-06

[2]

高压氮化物LED器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

于洪波 ;

于婷婷 ;

程蒙召 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102354699B ,2012-02-15

[3]

一种氮化物功率器件及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103117303A ,2013-05-22

[4]

氮化物发光器件及其制造方法 [P].

鲁载哲 ;

曹相德 ;

蔡昇完 .

中国专利 :CN1645633A ,2005-07-27

[5]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

曹凯 ;

张雷 ;

朱益峰 ;

黄敬源 ;

周春华 .

中国专利 :CN114175236A ,2022-03-11

[6]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN102280817A ,2011-12-14

[7]

氮化物基发光器件及其制造方法 [P].

成泰连 ;

金庆国 ;

宋俊午 ;

林东晳 .

中国专利 :CN1677703A ,2005-10-05

[8]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101179178A ,2008-05-14

[9]

氮化物基发光器件及其制造方法 [P].

宋俊午 ;

成泰连 .

中国专利 :CN100361324C ,2005-03-09

[10]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101931164B ,2010-12-29

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