高压氮化物LED器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110298596.4

申请日：

2011-09-30

公开(公告)号：

CN102354699B

公开(公告)日：

2012-02-15

发明(设计)人：

肖德元于洪波于婷婷程蒙召张汝京

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区临港产业区新元南路600号行政办公中心二楼

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3302 H01L3336 H01L3300 H01L3348 H01L3362

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/15 申请日:20110930 授权公告日:20160525 终止日期:20200930
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101212134596 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2011102985964 申请日:20110930
2012-02-15	公开	公开
2016-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物高压器件及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103117294B ,2013-05-22

[2]

高压氮化物LED电路及相应的高压氮化物LED器件 [P].

于洪波 ;

肖德元 ;

程蒙召 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102315240A ,2012-01-11

[3]

硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN102916046B ,2013-02-06

[4]

氮化物发光器件及其制造方法 [P].

鲁载哲 ;

曹相德 ;

蔡昇完 .

中国专利 :CN1645633A ,2005-07-27

[5]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

金泰润 .

中国专利 :CN101262031B ,2008-09-10

[6]

悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

于庆龙 ;

高绪敏 ;

施政 ;

曲颖 ;

贺树敏 ;

李欣 ;

王镇海 .

中国专利 :CN103633203A ,2014-03-12

[7]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[8]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

曹凯 ;

张雷 ;

朱益峰 ;

黄敬源 ;

周春华 .

中国专利 :CN114175236A ,2022-03-11

[9]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN102280817A ,2011-12-14

[10]

氮化物基发光器件及其制造方法 [P].

成泰连 ;

金庆国 ;

宋俊午 ;

林东晳 .

中国专利 :CN1677703A ,2005-10-05

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