氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710079416.7

申请日：

2007-03-05

公开(公告)号：

CN101262031B

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

金泰润

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	授权	授权
2009-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-09-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210825 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州太仓市常胜北路168号
2008-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[2]

氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法 [P].

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

石桥惠二 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101542760A ,2009-09-23

[3]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

松山隆之 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN100463311C ,2007-04-18

[5]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

山本秀一郎 ;

小河淳 ;

石田真也 ;

神川刚 .

中国专利 :CN1816952A ,2006-08-09

[6]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

浦岛泰人 .

中国专利 :CN101138105A ,2008-03-05

[7]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李振燮 ;

金定燮 ;

李成淑 ;

朴泰荣 ;

孙哲守 .

中国专利 :CN103035804A ,2013-04-10

[8]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

崔熙石 .

中国专利 :CN100340007C ,2005-04-13

[9]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔然祚 .

中国专利 :CN101999178A ,2011-03-30

[10]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔炳均 ;

李在拫 .

中国专利 :CN102194935A ,2011-09-21

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