一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910201508.0

申请日：

2019-03-15

公开(公告)号：

CN111697115A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

伊晓燕王蕴玉刘志强梁萌王兵任芳尹越王军喜李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3302 H01L2102 H01L3300 B82Y4000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20190315

共 50 条

[1]

在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111341648B ,2020-06-26

[2]

基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 [P].

梁冬冬 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109585270B ,2019-04-05

[3]

氮化物薄膜结构及其形成方法 [P].

尹义埈 ;

车国宪 ;

金钟学 ;

吴世源 ;

禹熙济 .

中国专利 :CN102150286B ,2011-08-10

[4]

一种钛的氮化物薄膜及其制备方法 [P].

张易军 ;

任巍 ;

叶作光 ;

闫天怡 .

中国专利 :CN112063991A ,2020-12-11

[5]

一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片及其制备方法 [P].

马亮 ;

李金权 ;

裴晓将 ;

刘素娟 ;

胡兵 .

中国专利 :CN104409594A ,2015-03-11

[6]

基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法 [P].

潘书生 ;

刘志宇 ;

葛军 ;

姚玲敏 .

中国专利 :CN109004057B ,2018-12-14

[7]

一种氮化物薄膜及其制备方法 [P].

朱亚丹 ;

卢太平 ;

张立春 ;

王美山 ;

梁豆豆 ;

贺文伟 .

中国专利 :CN115799046B ,2025-11-04

[8]

一种基于多层氮化物薄膜结构的Fano共振传感器 [P].

韩程章 ;

王新玲 ;

吕贺 ;

戴景杰 .

中国专利 :CN118329840A ,2024-07-12

[9]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

[10]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

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