碳化硅切割方法

被引：0

申请号：

CN202211322496.5

申请日：

2022-10-26

公开(公告)号：

CN115502586A

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

文志东侯煜张喆张昆鹏李曼石海燕张紫辰

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

B23K2657

IPC分类号：

B23K2670

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

苑晨超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	公开	公开
2023-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/57 申请日:20221026

共 50 条

[1]

碳化硅激光切割方法 [P].

张紫辰 ;

侯煜 ;

文志东 ;

石海燕 ;

张喆 ;

张昆鹏 ;

李曼 .

中国专利 :CN115609165A ,2023-01-17

[2]

碳化硅晶圆切割方法 [P].

刘舟 ;

陆明 ;

吴霞芳 ;

黄小龙 ;

吴华安 ;

王太保 ;

高鹏 ;

盛辉 ;

张凯 ;

周学慧 .

中国专利 :CN115555732A ,2023-01-03

[3]

碳化硅的激光切割方法 [P].

张紫辰 ;

侯煜 ;

石海燕 ;

文志东 ;

张昆鹏 ;

李曼 ;

张喆 .

中国专利 :CN115609166A ,2023-01-17

[4]

碳化硅晶片切割装置 [P].

张广 ;

张洁 ;

王泽隆 ;

林武庆 .

中国专利 :CN215150680U ,2021-12-14

[5]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[6]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[7]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[8]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[9]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[10]

碳化硅晶体的切割方法 [P].

牛晓龙 ;

杨昆 ;

路亚娟 ;

刘新辉 ;

董永洋 ;

周浩 .

中国专利 :CN113334592A ,2021-09-03

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