一种长波长垂直腔面发射半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010117961.6

申请日：

2020-02-25

公开(公告)号：

CN111162450A

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

张星

申请人：

申请人地址：

130000 吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室

IPC主分类号：

H01S510

IPC分类号：

H01S5183

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王云晓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/10 申请日:20200225
2020-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张星 .

中国专利 :CN211579192U ,2020-09-25

[2]

一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张星 .

中国专利 :CN111162450B ,2024-12-24

[3]

一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张星 .

中国专利 :CN210074424U ,2020-02-14

[4]

垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21

[5]

一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

张星 .

中国专利 :CN111106532B ,2025-05-06

[6]

一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

张星 .

中国专利 :CN111106532A ,2020-05-05

[7]

垂直腔面发射半导体激光器结构 [P].

廖文渊 ;

谭满清 ;

韦欣 ;

郭文涛 .

中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21

[8]

单模垂直腔面发射半导体激光器 [P].

黄永箴 .

中国专利 :CN1098552C ,2000-01-26

[9]

一种垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张星 ;

宁永强 ;

秦莉 ;

刘云 ;

王立军 .

中国专利 :CN103390858A ,2013-11-13

[10]

外腔相干垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

秦莉 ;

贾鹏 ;

张建伟 ;

刘云 ;

王立军 ;

张星 .

中国专利 :CN104319628B ,2015-01-28

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