一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911269504.2
申请日
2019-12-11
公开(公告)号
CN111106532A
公开(公告)日
2020-05-05
发明(设计)人
张星
申请人
申请人地址
130000 吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室
IPC主分类号
H01S5183
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
王云晓
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P]. 
张星 .
中国专利 :CN210074424U ,2020-02-14
[2]
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P]. 
张星 .
中国专利 :CN111106532B ,2025-05-06
[3]
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P]. 
张星 .
中国专利 :CN211579192U ,2020-09-25
[4]
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P]. 
张星 .
中国专利 :CN111162450B ,2024-12-24
[5]
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器 [P]. 
张星 .
中国专利 :CN111162450A ,2020-05-15
[6]
垂直腔面发射半导体激光器 [P]. 
宁永强 ;
李秀山 ;
王立军 ;
贾鹏 ;
刘云 ;
秦莉 ;
张星 .
中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21
[7]
一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P]. 
魏志鹏 ;
贾慧民 ;
唐吉龙 ;
杨承霖 ;
陈海永 .
中国专利 :CN121055152A ,2025-12-02
[8]
外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P]. 
宁永强 ;
李秀山 ;
王立军 ;
贾鹏 ;
刘云 ;
秦莉 ;
张星 .
中国专利 :CN104300362A ,2015-01-21
[9]
外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P]. 
宁永强 ;
李秀山 ;
王立军 ;
贾鹏 ;
刘云 ;
秦莉 ;
张星 .
中国专利 :CN104300363A ,2015-01-21
[10]
垂直腔面发射半导体激光器结构 [P]. 
廖文渊 ;
谭满清 ;
韦欣 ;
郭文涛 .
中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21