半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880003014.1

申请日：

2008-01-23

公开(公告)号：

CN101601142A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

克里斯托夫·艾克勒乌韦·施特劳斯亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

陈剑华;顾晋伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-08	授权	授权
2009-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法 [P].

赖纳·布滕戴奇 ;

亚历山大·沃尔特 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

托比亚斯·迈耶 ;

泷哲也 ;

胡贝特·迈瓦尔德 .

中国专利 :CN102687291A ,2012-09-19

[2]

光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法 [P].

赖纳·布滕戴奇 ;

亚历山大·沃尔特 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

托比亚斯·迈耶 ;

泷哲也 ;

胡贝特·迈瓦尔德 .

中国专利 :CN105655356B ,2016-06-08

[3]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

卡尔·恩格尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN101675539A ,2010-03-17

[4]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

艾尔弗雷德·莱尔 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

贝恩哈德·施托耶茨 ;

安德烈·佐默斯 .

中国专利 :CN107394583A ,2017-11-24

[5]

用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 [P].

克里斯托夫·艾希勒 ;

安德烈·佐默斯 ;

哈拉尔德·柯尼希 ;

贝恩哈德·施托耶茨 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 .

中国专利 :CN107394581A ,2017-11-24

[6]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

卡尔·恩格尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN102779917A ,2012-11-14

[7]

半导体芯片的制造方法以及半导体芯片 [P].

楠木克辉 .

中国专利 :CN1890782A ,2007-01-03

[8]

半导体芯片、用于制造半导体芯片的方法和装置 [P].

F·柯普 ;

A·莫尔纳 ;

B·L·C·吴 ;

H·Y·廖 .

德国专利 :CN118435363A ,2024-08-02

[9]

用于制造多个半导体芯片和的方法和半导体芯片 [P].

迈克尔·胡贝尔 ;

洛伦佐·齐尼 .

中国专利 :CN107210334A ,2017-09-26

[10]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

有田洁 ;

中川显 .

中国专利 :CN100511642C ,2008-04-09

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