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用于制造多个半导体芯片和的方法和半导体芯片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201680006363.3
申请日：
2016-01-11
公开(公告)号：
CN107210334A
公开(公告)日：
2017-09-26
发明(设计)人：
迈克尔·胡贝尔 洛伦佐·齐尼
申请人：
申请人地址：
德国雷根斯堡
IPC主分类号：
H01L3300
IPC分类号：
H01L3344
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
丁永凡;张春水
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2017-10-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20160111
2020-12-25 授权 授权
2017-09-26 公开 公开
共 50 条
[1]
用于制造多个半导体芯片的方法和半导体芯片 [P]. 
托马斯·施瓦茨 ;
卢茨·赫佩尔 ;
托尔斯滕·弗兰克·鲍姆海因里奇 ;
延斯·里克特 .
德国专利 :CN111295745B ,2025-01-10
[2]
用于制造多个半导体芯片的方法和半导体芯片 [P]. 
托马斯·施瓦茨 ;
卢茨·赫佩尔 ;
托尔斯滕·弗兰克·鲍姆海因里奇 ;
延斯·里克特 .
中国专利 :CN111295745A ,2020-06-16
[3]
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P]. 
卡尔·恩格尔 ;
卢茨·赫佩尔 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
安德烈亚斯·魏玛 .
中国专利 :CN101675539A ,2010-03-17
[4]
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P]. 
艾尔弗雷德·莱尔 ;
安德烈亚斯·莱夫勒 ;
克里斯托夫·艾希勒 ;
贝恩哈德·施托耶茨 ;
安德烈·佐默斯 .
中国专利 :CN107394583A ,2017-11-24
[5]
用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 [P]. 
克里斯托夫·艾希勒 ;
安德烈·佐默斯 ;
哈拉尔德·柯尼希 ;
贝恩哈德·施托耶茨 ;
安德烈亚斯·莱夫勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 .
中国专利 :CN107394581A ,2017-11-24
[6]
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P]. 
卡尔·恩格尔 ;
卢茨·赫佩尔 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
安德烈亚斯·魏玛 .
中国专利 :CN102779917A ,2012-11-14
[7]
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P]. 
克里斯托夫·艾克勒 ;
乌韦·施特劳斯 ;
亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库 .
中国专利 :CN101601142A ,2009-12-09
[8]
半导体芯片、用于制造半导体芯片的方法和装置 [P]. 
F·柯普 ;
A·莫尔纳 ;
B·L·C·吴 ;
H·Y·廖 .
德国专利 :CN118435363A ,2024-08-02
[9]
半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P]. 
有田洁 ;
中川显 .
中国专利 :CN100511642C ,2008-04-09
[10]
发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 [P]. 
克里斯托夫·艾希勒 ;
安德烈·佐默斯 ;
贝恩哈德·施托耶茨 ;
安德烈亚斯·莱夫勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 .
中国专利 :CN107425413B ,2017-12-01
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