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发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710339975.0
申请日：
2017-05-15
公开(公告)号：
CN107425413B
公开(公告)日：
2017-12-01
发明(设计)人：
克里斯托夫·艾希勒 安德烈·佐默斯 贝恩哈德·施托耶茨 安德烈亚斯·莱夫勒 艾尔弗雷德·莱尔
申请人：
申请人地址：
德国雷根斯堡
IPC主分类号：
H01S5323
IPC分类号：
H01S5343 H01L3308 H01L3328 H01L3330 H01L3332 H01L3300
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
丁永凡;李建航
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2017-12-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/323 申请日:20170515
2017-12-01 公开 公开
2021-12-28 授权 授权
共 50 条
[1]
发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 [P]. 
劳拉·克赖纳 ;
沃尔夫冈·施密德 .
德国专利 :CN117999659A ,2024-05-07
[2]
发光半导体芯片 [P]. 
马蒂亚斯·彼得 ;
托比亚斯·迈耶 ;
亚历山大·沃尔特 ;
泷哲也 ;
于尔根·奥弗 ;
赖纳·布滕戴奇 ;
约阿希姆·赫特功 .
中国专利 :CN102687290A ,2012-09-19
[3]
发光半导体芯片 [P]. 
马蒂亚斯·彼得 ;
托比亚斯·迈耶 ;
亚历山大·沃尔特 ;
泷哲也 ;
于尔根·奥弗 ;
赖纳·布滕戴奇 ;
约阿希姆·赫特功 .
中国专利 :CN106229395B ,2016-12-14
[4]
半导体发光芯片制造方法 [P]. 
凃博闵 ;
黄世晟 ;
林雅雯 .
中国专利 :CN102623579A ,2012-08-01
[5]
半导体发光芯片制造方法 [P]. 
凃博闵 ;
黄世晟 .
中国专利 :CN102487111A ,2012-06-06
[6]
半导体发光芯片制造方法 [P]. 
凃博闵 ;
黄世晟 ;
林雅雯 ;
黄嘉宏 ;
杨顺贵 .
中国专利 :CN102544247A ,2012-07-04
[7]
半导体芯片、发光器件和制造半导体芯片的方法 [P]. 
金泽 .
中国专利 :CN102263172B ,2011-11-30
[8]
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P]. 
卡尔·恩格尔 ;
卢茨·赫佩尔 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
安德烈亚斯·魏玛 .
中国专利 :CN101675539A ,2010-03-17
[9]
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P]. 
艾尔弗雷德·莱尔 ;
安德烈亚斯·莱夫勒 ;
克里斯托夫·艾希勒 ;
贝恩哈德·施托耶茨 ;
安德烈·佐默斯 .
中国专利 :CN107394583A ,2017-11-24
[10]
用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 [P]. 
克里斯托夫·艾希勒 ;
安德烈·佐默斯 ;
哈拉尔德·柯尼希 ;
贝恩哈德·施托耶茨 ;
安德烈亚斯·莱夫勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 .
中国专利 :CN107394581A ,2017-11-24
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