半导体芯片、发光器件和制造半导体芯片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110144449.1

申请日：

2011-05-31

公开(公告)号：

CN102263172B

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

金泽

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3318

IPC分类号：

H01L2715 H01L3300 B82Y2000

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权
2013-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457720077 IPC(主分类):H01L 33/18 专利申请号:2011101444491 申请日:20110531
2011-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 [P].

克里斯托夫·艾希勒 ;

安德烈·佐默斯 ;

贝恩哈德·施托耶茨 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 .

中国专利 :CN107425413B ,2017-12-01

[2]

发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 [P].

劳拉·克赖纳 ;

沃尔夫冈·施密德 .

德国专利 :CN117999659A ,2024-05-07

[3]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

有田洁 ;

中川显 .

中国专利 :CN100511642C ,2008-04-09

[4]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

崔金洪 ;

陈建国 ;

贺冠中 .

中国专利 :CN104835784A ,2015-08-12

[5]

半导体芯片和制造半导体芯片的方法 [P].

吴革明 .

中国专利 :CN119920770A ,2025-05-02

[6]

半导体芯片、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

田中义人 ;

桥本英明 .

中国专利 :CN114497174A ,2022-05-13

[7]

半导体发光芯片及半导体发光器件 [P].

新田康一 ;

中村隆文 ;

紺野邦明 ;

赤池康彦 ;

远藤佳纪 ;

近藤且章 .

中国专利 :CN1242497C ,2003-10-01

[8]

半导体芯片和半导体器件 [P].

津村一道 ;

东和幸 .

中国专利 :CN102842597A ,2012-12-26

[9]

半导体芯片和半导体器件 [P].

棈松高志 ;

別井隆文 ;

黒田淳 .

中国专利 :CN203746832U ,2014-07-30

[10]

半导体芯片和半导体器件 [P].

棈松高志 ;

別井隆文 ;

黒田淳 .

中国专利 :CN104009012B ,2014-08-27

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