光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080060293.2

申请日：

2010-12-23

公开(公告)号：

CN102687291A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

赖纳·布滕戴奇亚历山大·沃尔特马蒂亚斯·彼得托比亚斯·迈耶泷哲也胡贝特·迈瓦尔德

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3324

IPC分类号：

H01L3302

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;田军锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346529140 IPC(主分类):H01L 33/24 专利申请号:2010800602932 申请日:20101223
2016-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法 [P].

赖纳·布滕戴奇 ;

亚历山大·沃尔特 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

托比亚斯·迈耶 ;

泷哲也 ;

胡贝特·迈瓦尔德 .

中国专利 :CN105655356B ,2016-06-08

[2]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

王雪 .

中国专利 :CN111433919A ,2020-07-17

[3]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

王雪 .

德国专利 :CN111433919B ,2024-06-11

[4]

光电半导体芯片和用于制造该光电半导体芯片的方法 [P].

C.克伦普 .

中国专利 :CN106716651A ,2017-05-24

[5]

光电子半导体芯片 [P].

克里斯托夫·艾克勒 ;

特雷莎·莱尔默 ;

亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库 .

中国专利 :CN102771023B ,2012-11-07

[6]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

卡尔·恩格尔 ;

贝特霍尔德·哈恩 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN103843161A ,2014-06-04

[7]

光电子半导体芯片 [P].

王雪 ;

马库斯·布勒尔 .

中国专利 :CN110235258A ,2019-09-13

[8]

用于制造光电子半导体芯片的方法和相应的光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

卡尔·恩格尔 ;

贝特霍尔德·哈恩 ;

安德烈亚斯·魏玛 ;

彼得·施陶斯 .

中国专利 :CN103843160A ,2014-06-04

[9]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

维尔纳·贝格鲍尔 ;

托马斯·伦哈特 ;

于尔根·奥弗 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN106030834B ,2016-10-12

[10]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

克里斯托夫·艾克勒 ;

乌韦·施特劳斯 ;

亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库 .

中国专利 :CN101601142A ,2009-12-09

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