用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580009138.0

申请日：

2015-02-13

公开(公告)号：

CN106030834B

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

维尔纳·贝格鲍尔托马斯·伦哈特于尔根·奥弗约阿希姆·赫特功

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3312 H01L3300 H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;李建航

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687251868 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2015800091380 申请日:20150213
2020-03-06	授权	授权
2016-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

卡尔·恩格尔 ;

贝特霍尔德·哈恩 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN103843161A ,2014-06-04

[2]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[3]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

伊瓦尔·通林 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110603653A ,2019-12-20

[4]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

平井麻子 .

中国专利 :CN113544862A ,2021-10-22

[5]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

洛伦佐·齐尼 ;

简-菲利普·阿尔 ;

亚历山大·弗里 .

中国专利 :CN104508840A ,2015-04-08

[6]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 ;

文森特·格罗利尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

汉斯-于尔根·卢高尔 ;

马丁·斯特拉斯伯格 .

中国专利 :CN102210031A ,2011-10-05

[7]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN114521295A ,2022-05-20

[8]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

德国专利 :CN114521295B ,2025-04-25

[9]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

赖纳·哈特曼 ;

马丁·曼德尔 ;

西梅昂·卡茨 ;

安德烈亚斯·吕克尔 .

中国专利 :CN108028286B ,2018-05-11

[10]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

克里斯托夫·诺伊罗伊特 ;

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN103069568B ,2013-04-24

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