用于制造光电子半导体芯片的方法和相应的光电子半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280048166.X

申请日：

2012-08-28

公开(公告)号：

CN103843160A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

约阿希姆·赫特功卡尔·恩格尔贝特霍尔德·哈恩安德烈亚斯·魏玛彼得·施陶斯

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312 H01L2120 C23C1406 H01L3322 H01L3332 C30B2306 C30B2940

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	公开	公开
2018-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20140604
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583370028 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:201280048166X 申请日:20120828

共 50 条

[1]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

卡尔·恩格尔 ;

贝特霍尔德·哈恩 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN103843161A ,2014-06-04

[2]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

维尔纳·贝格鲍尔 ;

托马斯·伦哈特 ;

于尔根·奥弗 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN106030834B ,2016-10-12

[3]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[4]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

伊瓦尔·通林 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110603653A ,2019-12-20

[5]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

平井麻子 .

中国专利 :CN113544862A ,2021-10-22

[6]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

洛伦佐·齐尼 ;

简-菲利普·阿尔 ;

亚历山大·弗里 .

中国专利 :CN104508840A ,2015-04-08

[7]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 ;

文森特·格罗利尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

汉斯-于尔根·卢高尔 ;

马丁·斯特拉斯伯格 .

中国专利 :CN102210031A ,2011-10-05

[8]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN114521295A ,2022-05-20

[9]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

德国专利 :CN114521295B ,2025-04-25

[10]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

赖纳·哈特曼 ;

马丁·曼德尔 ;

西梅昂·卡茨 ;

安德烈亚斯·吕克尔 .

中国专利 :CN108028286B ,2018-05-11

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