低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410817492.3

申请日：

2014-12-24

公开(公告)号：

CN104600028A

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

卢改平

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

深圳市德力知识产权代理事务所 44265

代理人：

林才桂

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611560716 IPC(主分类):H01L 21/77 专利申请号:2014108174923 申请日:20141224
2017-09-01	授权	授权
2015-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN104599959A ,2015-05-06

[2]

低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构 [P].

张良芬 .

中国专利 :CN105097667A ,2015-11-25

[3]

低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法 [P].

张晓星 .

中国专利 :CN104701265A ,2015-06-10

[4]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN105702622B ,2016-06-22

[5]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

张占东 ;

汤富雄 .

中国专利 :CN105514035A ,2016-04-20

[6]

一种多晶硅TFT基板的制作方法及多晶硅TFT基板 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN108198754B ,2018-06-22

[7]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN105097666A ,2015-11-25

[8]

低温多晶硅TFT基板及其制作方法 [P].

王涛 .

中国专利 :CN107046003B ,2017-08-15

[9]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[10]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

虞晓江 .

中国专利 :CN105679772B ,2016-06-15

← 1 2 3 4 5 →